Reballing Station BGA Rework Repair

Sjálfvirk Optical Reballing Station BGA Rework Repair

1.Umsókn sjálfvirkrar sjónræns endurnýjunarstöðvar BGA endurvinnsluviðgerðar

Vinna með alls kyns móðurborðum eða PCBA.

Lóðmálning, reball, aflóðun mismunandi tegunda af flögum: BGA, PGA, POP, BQFP, QFN, SOT223, PLCC, TQFP, TDFN, TSOP, PBGA, CPGA, LED flís.

2.Product Lögun afSjálfvirkur OpticalReballing Station BGA Rework Repair

3.Tilgreining áSjálfvirkReballing Station BGA Rework Repair

4. Upplýsingar umSjálfvirk Optical Reballing Station BGA Rework Repair

5.Af hverju að velja okkarSjálfvirkReballing Station BGA Rework Repair? 

6.Vottorð umSjálfvirk Reballing Station BGA Rework Repair

UL, E-MARK, CCC, FCC, CE ROHS vottorð. Á meðan, til að bæta og fullkomna gæðakerfið,

Dinghua hefur staðist ISO, GMP, FCCA, C-TPAT endurskoðunarvottun á staðnum.

7.Pökkun & Sending áSjálfvirk Reballing Station BGA Rework Repair

8.Sending fyrirSjálfvirkReballing Station BGA Rework Repair

DHL/TNT/FEDEX. Ef þú vilt annan sendingartíma, vinsamlegast segðu okkur. Við munum styðja þig.

9. Greiðsluskilmálar

Bankamillifærsla, Western Union, kreditkort.

Vinsamlegast segðu okkur ef þú þarft annan stuðning.

10. Hvernig virkar DH-A2 Reballing Station BGA Rework Repair?

11. Tengd þekking

Um flash flís

Flashminnið sem við segjum oft sé bara almennt hugtak. Það er algengt nafn fyrir óstöðugt slembiaðgangsminni (NVRAM). Það einkennist af því að gögnin hverfa ekki eftir að slökkt er á þeim og því er hægt að nota þau sem ytra minni.

Svokallað minni er rokgjarnt minni, skipt í tvo meginflokka af DRAM og SRAM, sem oft er nefnt DRAM, sem er þekkt sem DDR, DDR2, SDR, EDO, og svo framvegis.

flokkun

Það eru líka mismunandi gerðir af flassminni, sem eru aðallega skipt í tvo flokka: NOR gerð og NAND gerð.

NOR gerð og NAND gerð flassminni eru mjög mismunandi. Til dæmis, NOR-gerð glampi minni er meira eins og minni, hefur sjálfstæða heimilisfang línu og gagnalínu, en verðið er dýrara, afkastagetan er minni; og NAND gerð er meira eins og harður diskur, heimilisfang lína Og gagnalínan er sameiginleg I/O lína. Allar upplýsingar eins og harður diskur eru sendar í gegnum harða disklínu og NAND gerð hefur lægri kostnað og mun meiri afkastagetu en NOR gerð flash minni. Þess vegna er NOR flassminni hentugra fyrir tíð tilviljunarkennd lestur og ritun, venjulega notað til að geyma forritakóða og keyra beint í flassminni. Farsímar eru miklir notendur NOR-flassminni, þannig að „minni“-geta farsíma er yfirleitt lítil; NAND glampi minni Aðallega notað til að geyma gögn, algengar flash minni vörur okkar, svo sem glampi drif og stafræn minniskort, nota NAND glampi minni.

hraða

Hér þurfum við líka að leiðrétta hugtak, það er að hraði flassminnis er í raun mjög takmarkaður, eigin vinnsluhraði þess, tíðni er miklu lægri en minnið, og NAND-gerð flassminnis-líkur aðgerðahamur á harða diski er líka miklu hægari en bein aðgangsaðferð minni. . Þess vegna skaltu ekki halda að flöskuháls flassdrifsins sé á viðmótinu, og jafnvel taka því sem sjálfsögðum hlut að glampi drifið muni hafa mikla frammistöðubót eftir að USB2.0 tengið hefur verið tekið upp.

Eins og fyrr segir er rekstrarhamur NAND-gerðar glampi minni óhagkvæmur, sem tengist arkitektúrhönnun þess og viðmótshönnun. Það virkar alveg eins og harður diskur (reyndar er NAND-gerð flassminni hannað með samhæfni við harða diskinn í upphafi). Afköstareiginleikarnir eru líka mjög svipaðir og harðir diskar: litlar kubbar virka mjög hægt á meðan stórar kubbar eru hraðar og munurinn er mun meiri en aðrir geymslumiðlar. Þessi frammistöðueiginleiki er mjög verðugur athygli okkar.

NAND gerð

Grunngeymslueiningin í minni og NOR gerð flassminni er biti og notandinn getur af handahófi nálgast upplýsingar um hvaða bita sem er. Grunngeymslueining NAND flassminnsins er síða (það má sjá að síða NAND flassminnsins er svipuð geiri harða disksins og einn geiri harða disksins er einnig 512 bæti). Virk getu hverrar síðu er margfeldi af 512 bætum. Svokölluð skilvirk getu vísar til hlutans sem notaður er fyrir gagnageymslu og bætir í raun við 16 bætum af jöfnunarupplýsingum, þannig að við getum séð "(512+16) bæti" framsetninguna í tæknigögnum flassframleiðandans. . Meirihluti NAND-gerðar flassminna með afkastagetu undir 2Gb eru (512+16) bæti af síðurými og NAND-gerð flassminni með afkastagetu sem er meira en 2Gb stækka síðugetu í (2048+64) bæti .

Eyða aðgerð

NAND-gerð flassminni framkvæmir eyðingaraðgerð í einingum af blokkum. Skrifunaraðgerð flassminni verður að fara fram á auðu svæði. Ef marksvæðið hefur þegar gögn verður að eyða þeim og síðan skrifa, þannig að eyðingaraðgerðin er grunnaðgerð flassminnsins. Yfirleitt inniheldur hver blokk 32 512-bætasíður með 16 KB afkastagetu. Þegar stóra flassminnið notar 2 KB síður inniheldur hver blokk 64 síður og rúmar 128 KB.

I/O viðmót hvers NAND flassminni er yfirleitt átta, hver gagnalína sendir ({{0}}) bita af upplýsingum í hvert sinn og átta eru (512 + 16) × 8 bitar, sem er 512 bæti eins og getið er hér að ofan. Hins vegar notar stærra NAND flassminni einnig í auknum mæli 16 I/O línur. Til dæmis er Samsung K9K1G16U0A flísinn 64M×16bit NAND flassminni með afkastagetu upp á 1Gb og grunngagnaeiningin er (256+8). ) × 16bita, eða 512 bæti.

Ávarp

Við netfang flytur NAND flassminnið vistfangspakka í gegnum átta I/O viðmótsgagnalínur, sem hver um sig ber 8-bita heimilisfangsupplýsingar. Þar sem afkastageta flasskubbsins er tiltölulega stór getur sett af 8-bita vistföngum aðeins fjallað um 256 síður, sem er augljóslega ekki nóg. Þess vegna þarf venjulega einum vistfangaflutningi að vera skipt í nokkra hópa og tekur nokkrar klukkulotur. Heimilisfangsupplýsingar NAND innihalda dálkvistfangið (upphafsaðgerðarvistfangið á síðunni), netfangið og samsvarandi veffang síðunnar, og eru í sömu röð flokkaðar við sendingu, og það tekur að minnsta kosti þrisvar og tekur þrjá hringrásir. Eftir því sem afkastagetan eykst verða heimilisfangsupplýsingarnar fleiri og það tekur fleiri klukkulotur að senda. Þess vegna er mikilvægur eiginleiki NAND-flassminnisins sá að eftir því sem afkastagetan er meiri, því lengri er ávarpstíminn. Þar að auki, þar sem flutningsvistfangstímabilið er lengra en aðrir geymslumiðlar, hentar NAND-gerð flassminni síður fyrir fjöldann allan af lestrar-/skrifbeiðnum með litla afkastagetu en önnur geymslumiðlar.